Lághitafasa baríummetaboratið (β-BaB₂O₄, BBO í stuttu máli) kristal tilheyrir þríhliða kristalkerfinu, 3m punktahópur. Árið 1949, Levino.fl. uppgötvaði lághitafasa baríummetaborat BaB₂O₄ efnasamband. Árið 1968, Brixnero.fl. notað BaCl₂ sem flæði til að fá gagnsæja nálalíkan einn kristal. Árið 1969 notaði Hubner Li₂O sem flæði til að vaxa 0,5 mm × 0,5 mm × 0,5 mm og mældi grunngögn um þéttleika, frumubreytur og rúmhóp. Eftir 1982, Fujian Institute of Matter Structure, Kínverska vísindaakademían notaði bráðna-salt fræ-kristalla aðferðina til að rækta stóran einkristall í flæði, og komst að því að BBO kristal er frábært útfjólublátt tíðni tvöföldunarefni. Fyrir raf-sjón-Q-rofa notkun hefur BBO kristal ókostinn við lágan raf-sjónstuðul sem leiðir til hárrar hálfbylgjuspennu, en það hefur framúrskarandi kost á mjög háum leysiskaðaþröskuldi.

Fujian Institute of Matter Structure, Kínverska vísindaakademían hefur framkvæmt röð vinnu við vöxt BBO kristalla. Árið 1985 var einn kristal með stærðinni φ67mm×14mm ræktaður. Kristallstærðin náði φ76mm×15mm árið 1986 og φ120mm×23mm árið 1988.

Vöxtur kristalla notar umfram allt bráðna-salt fræ-kristal aðferð (einnig þekkt sem topp-fræ-kristal aðferð, flæði-lyfting aðferð, osfrv.). Vaxtarhraði kristalsins íc-ás stefna er hæg, og það er erfitt að fá hágæða langan kristal. Þar að auki er raf-sjónstuðull BBO kristals tiltölulega lítill og stuttur kristal þýðir að þörf er á hærri vinnuspennu. Árið 1995, Goodnoo.fl. notað BBO sem raf-sjónrænt efni fyrir EO Q-mótun Nd:YLF leysir. Stærðin á þessum BBO kristal var 3mm×3mm×15mm(x, y, z), og þvermótun var samþykkt. Þrátt fyrir að lengd-hæðarhlutfall þessa BBO nái 5:1, þá er fjórðungsbylgjuspennan enn allt að 4,6 kV, sem er um það bil 5 sinnum EO Q-mótun LN kristals við sömu aðstæður.

Til að draga úr rekstrarspennunni notar BBO EO Q-switch tvo eða þrjá kristalla saman, sem eykur innsetningartap og kostnað. Nikkelo.fl. minnkaði hálfbylgjuspennu BBO kristalsins með því að láta ljós fara í gegnum kristalinn nokkrum sinnum. Eins og sést á myndinni fer leysigeislinn fjórum sinnum í gegnum kristalinn og fasatöfin sem stafar af háspeglunarspeglinum sem var settur í 45° var bætt upp með bylgjuplötunni sem var sett í ljósleiðina. Með þessum hætti gæti hálfbylgjuspenna þessa BBO Q-rofa verið allt að 3,6 kV.

Mynd 1. BBO EO Q-mótun með lágri hálfbylgjuspennu – WISOPTIC

Árið 2011 Perlov o.fl. notaði NaF sem flæði til að rækta BBO kristal með lengd 50 mm innc-ás stefnu, og fékk BBO EO tæki með stærð 5mm×5mm×40mm, og með sjónrænni einsleitni betri en 1×10⁻⁶ sentimetri⁻¹, sem uppfyllir kröfur EO Q-skiptaforrita. Hins vegar er vaxtarhringur þessarar aðferðar meira en 2 mánuðir og kostnaðurinn er enn mikill.

Sem stendur takmarkar lágur virkur EO stuðull BBO kristals og erfiðleikar við að vaxa BBO með stórum stærð og háum gæðum enn EO Q-skiptaforrit BBO. Hins vegar, vegna mikils leysisskemmdaþröskulds og getu til að vinna við mikla endurtekningartíðni, er BBO kristal enn eins konar EO Q-mótunarefni með mikilvægt gildi og efnilega framtíð.

Mynd 2. BBO EO Q-Rofi með lágri hálfbylgjuspennu – Framleitt af WISOPTIC Technology Co., Ltd.